并且，商自原则上，使用具有相似离子电导率的氯化物SE的ASSB也应表现出可比的电化学性能。

查夸传主通过将电池充电至4.8V（相对于Li+/Li）并保持较长时间来进行加速退化测试。缓慢的容量衰减不是由于SE分解，张宣而是可能与已知的高镍NCM在高压（H2-H3转变）和O2释放下的结构转变有关。

动清正极复合材料通常由80wt%CAM和20wt%Li2In1/3Sc1/3Cl4组成。EIS和TOF-SIMS结果表明CAMs与氯化物SE之间存在稳定的界面，理出证实了Li2In1/3Sc1/3Cl4与未包覆氧化物CAMs接触时具有较高的氧化稳定性和化学相容性。对充电至4.3V的NCM85ASSB进行长期EIS测量，格内图6e中相应的奈奎斯特图显示160次循环后内阻没有增加。

使用Li2In1/3Sc1/3Cl4作为固态电解质和未包覆的CAM（裸LCO、商自裸NCM622或NCM85）和In/InLi作为负极的ASSB以验证电化学Li2In1/3Sc1/3Cl4的性能。此外，查夸传主由于LCO的高电子电导率，查夸传主超高负载ASSB（52.46mgcm-2、7.2mAhcm-2）在25°C和4.5mAhcm-2下可提供3mAhcm-2的稳定面积容量，在50°C和1.20mAcm-2的高电流密度下，超过500次循环没有容量衰减（图5c）。

图6a-c显示了EIS光谱，张宣它监测了NCM622ASSB在第一个循环期间在2.8和4.6V之间循环的内阻演变。

第一作者：动清LaidongZhou通讯作者：LindaF.Nazar通讯单位：加拿大滑铁卢大学、美国阿贡国家实验室论文doi：https://doi.org/10.1038/s41560-021-00952-0。高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，理出关于合作目前不能透露细节，理出但我们确实在与三星电子、LG电子合作。

同时，格内司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，格内将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。据韩媒etnews今日报道，商自三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备。

司宏国表示，查夸传主LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展虽然上述ASSBs在6-8mgcm-2的典型正极负载下表现出优异的电化学性能，张宣但本工作希望增加负载以提供与商业LIBs相当的面积容量（通常3mAhcm-2）。